表面電位衰減測試系統(tǒng)

產(chǎn)品介紹

本表面電位衰減測試系統(tǒng)是一款面向材料電學(xué)特性研究的高精度、多功能分析設(shè)備，專為評估介質(zhì)材料表面電荷動態(tài)衰減行為及陷阱能級分布而設(shè)計。系統(tǒng)集高壓極化、精準(zhǔn)溫控、快速信號采集及智能化分析于一體，支持針、柵、板三種電極配置，可模擬不同溫濕度環(huán)境下的材料電荷動態(tài)響應(yīng)，為絕緣材料、功能薄膜、電子器件等領(lǐng)域的研發(fā)與質(zhì)量控制提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持。

表面電位衰減是通過電暈放電給絕緣材料表面進行充電，充電過程中電暈中的電荷會進入材料內(nèi)部。基于陷阱理論，這些空間電荷會被材料內(nèi)部的陷阱所捕獲形成表面電位。材料另一面與地電極相連，在撤去外加電壓后電荷逐漸脫陷從而形成電位衰減過程。電位的衰減主要是由于充電過程中的入陷電荷通過電荷輸運流入地電極形成的。

系統(tǒng)基于表面電荷動態(tài)衰減法，通過以下步驟實現(xiàn)材料陷阱特性分析：

① 高壓極化：施加±30 kV電壓使樣品表面帶電，形成初始電位；

② 環(huán)境模擬：加熱臺精確控溫（±0.2℃），電極箱調(diào)節(jié)濕度，模擬實際工況；

③ 電位監(jiān)測：極化結(jié)束后，實時采集表面電位衰減信號（精度1 V，頻率＞1 Hz），記錄電位-時間曲線；

④ 數(shù)據(jù)分析：內(nèi)置算法解析衰減速率、陷阱深度及密度分布，量化材料電荷存儲與遷移特性。