多通道電流矩陣模塊

產(chǎn)品介紹：

 高的精度多通道電流切換矩陣模塊是一種模塊化、高密度的電流控制解決方案，支持獨(dú)立控制多路電流通道（典型8~128通道），可同時(shí)輸出/吸入精確可調(diào)的直流電流。通過先進(jìn)的矩陣開關(guān)架構(gòu)，用戶可自由配置各通道的電流值（pA至mA 級(jí)）、工作模式（恒流/脈沖/掃描）及通斷時(shí)序，適用于并行化測(cè)試、自動(dòng)化產(chǎn)線及復(fù)雜實(shí)驗(yàn)場(chǎng)景。 高的精度多通道電流切換矩陣模塊是專為要求苛刻的微弱電流（低至皮安級(jí)）和中等電流（高達(dá)100mA）信號(hào)路徑切換而設(shè)計(jì)的核心組件。它本身不進(jìn)行電流測(cè)量，而是為您高的精度靜電計(jì)（如 Keithley 6517B, 6430, 6485/6487）或源測(cè)量單元提供可靠、低噪聲、低熱電動(dòng)勢(shì)（EMF）的通道擴(kuò)展能力，將單臺(tái)昂貴的高的精度儀表擴(kuò)展為高效的多通道自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)。無論是研發(fā)實(shí)驗(yàn)室的材料特性分析，還是生產(chǎn)線上半導(dǎo)體器件的批量測(cè)試，都是提升測(cè)試效率、保證數(shù)據(jù)一致性的理想選擇。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

01高密度集成：單機(jī)箱支持較高128通道，節(jié)省90%設(shè)備空間，降低機(jī)柜與線纜成本。

02毫秒級(jí)切換;高速矩陣開關(guān)（20ms切換時(shí)間）支持動(dòng)態(tài)負(fù)載切換與高速掃描測(cè)試。

03模塊化擴(kuò)展：支持熱插拔通道卡，可按需擴(kuò)展通道數(shù)（較小8通道起，以8為增量擴(kuò)展）。

04信號(hào)完整性：低電容設(shè)計(jì)，支持快速建立穩(wěn)定的測(cè)量信號(hào)，減少測(cè)試時(shí)間。

05 寬電流范圍：精心設(shè)計(jì)的信號(hào)路徑確保設(shè)備在 ±1 pA 至 ±100 mA 的寬動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)切換信號(hào)時(shí)，引入的干擾和誤差極小，滿足從超高阻值材料漏電測(cè)試到一般電子元件特性分析的需求。

 06 高的精度與低噪聲：超低熱電動(dòng)勢(shì) (< 1 μV) 設(shè)計(jì)，消除熱電效應(yīng)對(duì)微弱直流測(cè)量的影響。極低漏電流路徑 (< 1 fA @ 典型值)，確保pA 級(jí)微弱電流測(cè)量的準(zhǔn)確性。 優(yōu)化的屏蔽與布線設(shè)計(jì)，較大限度降低串?dāng)_和外部噪聲干擾。

應(yīng)用領(lǐng)域

l 高阻材料與元件測(cè)試： 絕緣材料、陶瓷、薄膜、高阻值電阻的電阻率/漏電流自動(dòng)化測(cè)量。

l 半導(dǎo)體器件特性分析： 晶體管/二極管漏電流 (Ioff, Gate Leakage), 電容漏電，晶圓級(jí)可靠性測(cè)試 (WLR)。 傳感器測(cè)試與標(biāo)定： 光電二極管暗電流、電化學(xué)/生物傳感器電流、輻射探測(cè)器電流。

l 電池與儲(chǔ)能測(cè)試： 電池自放電電流監(jiān)測(cè)、模組/Pack絕緣電阻測(cè)試。

l 靜電與ESD研究： 防靜電材料電阻率測(cè)量、靜電荷衰減測(cè)試。 光電與光伏器件測(cè)試： 太陽能電池暗電流、LED/OLED微弱漏電流、探測(cè)器陣列測(cè)試。

l 環(huán)境監(jiān)測(cè)與科學(xué)儀器： 電離室電流采集、多通道微弱信號(hào)切換。 多器件并行參數(shù)測(cè)試： 配合源表進(jìn)行批量器件的I-V掃描、導(dǎo)通電阻測(cè)量等。

華測(cè)儀器多通道電流矩陣模塊